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半導體功率器件C-V特性測試系統

5799

        電容-電壓(C-V)測量廣泛用于測量半導體參數,尤其是MOS CAP和MOSFET結構。MOS(金屬-氧化物-半導體)結構的電容是外加電壓的函數,MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線(簡稱C-V特性),C-V 曲線測試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數。


產品特點

●    頻率范圍寬:頻率范圍10Hz~1MHz連續頻率點可調

●    高精度、大動態范圍:提供0V~3500V偏壓范圍,精度0.1%

●    內置CV測試:內置自動化CV測試軟件,包含C-V(電容- 電壓),C-T(電容- 時間),C-F(電容 - 頻率)等多項測試測試功能

●    兼容IV測試:同時支持擊穿特性以及漏電流特性測試

●    實時曲線繪制:軟件界面直觀展示項目測試數據及曲線,便于監控

●    擴展性強:系統采用模塊化設計,可根據需求靈活搭配


軟件界面及功能

image.png

CV測試界面


image.png

CV曲線圖


產品選型

模塊VGS范圍IGSS/IGEVDS范圍IDSS/ICES源測精度
SMU0 - ±30V(選配)≥10pA(選配)0-±300

≥10pA

0.03%

0-±1200V≥1nA0.1%
0-±2200V≥1nA0.1%
0-±3500V≥1nA0.1%
模塊測試頻率頻率輸出精確度基本準確度AC測試信號準位DC測試信號準位輸出阻抗量測范圍
LCR10Hz-1MHz±0.01%±0.05%

10mV至2Vrms 

(1m Vrms 解析度)

10mV至2V

(1m Vrms 解析度)

100Ω

|Z|, R, X 

0.001mΩ–99.999MΩ

Cs、Cp 

0.01pF – 9.9999F

0.00001-9.999

DCR 

0.001mΩ–9.999MΩ

θ 

-180° -+180°

|Y|, G, B 

0.1nS–99.999S

Ls Lp 

0.1nH–9.999kH

0.1-9999.9

Δ%  

-9999%-999%



*以上規格如有更新,恕不另行通知。

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